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管式爐爐管內(nèi)的壓力應(yīng)保持在1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓，不得低于1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓或大于0.02MPa。這種方法可以保證爐管內(nèi)的壓力在這個(gè)范圍內(nèi)，氣瓶必須配備減壓閥。建議選擇0-0.6mpa范圍的減壓閥。不要選擇大范圍的減壓閥（如0-2.5mpa），這樣不準(zhǔn)確，容易爆裂石英管。減壓閥開到0-0.05mpa為宜，不能超過0.05Mpa。當(dāng)管式爐爐溫超過1000℃時(shí)，不允許在爐管內(nèi)進(jìn)行真空燒結(jié)。最好保持微正壓狀態(tài)，保護(hù)燒結(jié)氣氛。建議長時(shí)間使用的石英管溫度不超過11??00℃。如果您擔(dān)心氣壓太高或燃...

箱式爐采用雙層外殼結(jié)構(gòu)和PID程序控溫系統(tǒng)，移相觸發(fā)，可控硅控制。該爐采用氧化鋁多晶纖維材料制成，雙層爐殼之間裝有風(fēng)冷系統(tǒng)，可快速升降溫。外殼整體密封，蓋板用硅膠泥密封，爐門用硅膠墊片密封，氣體通過流量計(jì)后進(jìn)出后室。多爐進(jìn)出口，可預(yù)抽真空，可通氬、氮?dú)狻⒀鯕?、惰性氣體等。爐具有溫度場平衡、表面溫度低、升降溫速度快、節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，是大專院校、科研院所、工礦企業(yè)進(jìn)行氣氛保護(hù)燒結(jié)和氣氛還原的理想產(chǎn)品。1、可接觸氣體：所有惰性氣體、氮?dú)狻鍤?、氧氣、二氧化碳、水蒸氣等?、外觀設(shè)計(jì)：采...

管式爐是在沉底材料上生長優(yōu)質(zhì)石墨烯、碳納米管和碳化硅的專用設(shè)備，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、納米材料、碳纖維、碳化硅、涂層等新材料和新工藝。它在使用前需要做好哪些準(zhǔn)備工作呢？1、設(shè)計(jì)溫度升降曲線。升溫速率不得高于10℃/min，降溫速率應(yīng)低于15℃/min。2、清潔環(huán)境。3、每周開始使用時(shí)，檢查機(jī)械泵油路是否在標(biāo)線以上，取下兩端蓋板，用吸塵器清潔剛玉爐管。4、將樣品舟推入剛性管式爐中間（恒溫長度10cm）。5、塞住兩個(gè)絕緣爐塞，使第二個(gè)爐塞的末端與爐體側(cè)面齊平。6、安裝燃?xì)鉅t法蘭，確認(rèn)...

真空鍍膜設(shè)備主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來，并且最終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過蒸發(fā)鍍膜設(shè)備+所鍍產(chǎn)品圖蒸發(fā)鍍...

噴涂一直存在于我們的生活中，長期以來被用于多種用途，包括噴涂裝飾性和保護(hù)性涂料。因此，它是材料科學(xué)家制備薄膜的又一工具。在噴涂中，噴嘴尺寸、噴涂形狀、噴嘴到基材的距離、噴涂速度和噴涂過程中基材的加熱都是可控的參數(shù)，以達(dá)到理想效果。使用超聲波霧化模塊，可使噴霧溶液均質(zhì)化，霧滴大小得到有效控制（噴嘴頻率會(huì)影響霧滴大小），可分布微霧量，從而保證成分和結(jié)構(gòu)的均勻性和所得薄膜和圖案的準(zhǔn)確性。材料浪費(fèi)保持在低限度，設(shè)備操作人員的風(fēng)險(xiǎn)很小。超聲波霧化模塊的工作原理是利用超聲波換能器將高頻聲...

電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發(fā)生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子(或分子)沉積在基片上成膜。二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運(yùn)動(dòng)，該電子的運(yùn)動(dòng)路徑很長。磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點(diǎn)：利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成...

直流等離子磁控濺射鍍膜儀是一種小型直流（DC）等離子磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括所有必需的附件，如500W（600V）直流電源、2英寸磁控濺射頭、石英真空室、真空泵和溫度控制器。主要由濺射真空室、磁控濺射靶材、樣品臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)和真空測量裝置組成。高真空濺射可用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等薄膜材料。具有設(shè)備簡單、易控制、涂布面積大、附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，可用于大專院校和科研院所的薄膜材料的研究和制備。直流等離子磁控濺射鍍膜儀濺射鍍膜的原理是異常輝光放電中的稀有氣體產(chǎn)...